東京大学大学院 工学系研究科 機械工学専攻泉・波田野研究室

Member

教員

泉 聡志 教授

波田野 明日可 講師

スタッフ

高本 聡 助教

長瀬 千歩 秘書

徳山 順子 秘書

研究員

岩方 祐一

田中 広明

博士課程

榊間 大輝

中井 佑

修士課程2年

神田 英慈

霜村 祐作

鈴木 一真

田處 恵太

修士課程1年

淺川 悟大

中谷 起也

平能 敦雄

学部4年

青木 凌介

金子 凌太朗

小林 森

坂西 空

殿垣 佳治

長岡 賢人

橋本 瑞樹

研究生

清水 泰之








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高本 聡

高本 聡 (So Takamoto)

Ph. D

Email:takamoto.so [at] fml.t.u-tokyo.ac.jp


【略歴】

[2018.4-現在] 東京大学大学院工学系研究科 機械工学専攻 助教
[2017.7-2018.3] MIT Postdoctoral Fellow
[2017.4-2018.3] 日本学術振興会特別研究員(PD)
[2016.4-2017.3] 日本学術振興会特別研究員(DC2)

[2017.3] 東京大学大学院工学系研究科 機械工学専攻博士課程 修了
[2014.3] 東京大学大学院工学系研究科 機械工学専攻修士課程 修了
[2012.3] 東京大学 機械情報工学科 卒業

【論文 (筆頭)】

1. Elucidation of the atomic-scale mechanism of the anisotropic oxidation rate of 4H-SiC between the (0001) Si-face and (000-1) C-face by using a new Si-O-C interatomic potential
So Takamoto, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno, Chioko Kaneta, Asuka Hatano, and Satoshi Izumi
J. Appl. Phys., 123, 185303 (2018)
(URL) (arXiv) (GitHub)

2. Atomistic mechanism of graphene growth on SiC substrate: Large-scale molecular dynamics simulation based on a new charge-transfer bond-order type potential
So Takamoto, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Takahisa Ohno, Chioko Kaneta, Asuka Hatano, and Satoshi Izumi
Physical Review B, 97, 125411 (2018)
(URL) (arXiv) (GitHub) (YouTube)

3. Charge-transfer interatomic potential for investigation of the thermal-oxidation growth process of silicon
So Takamoto, Tomohisa Kumagai, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno, Chioko Kaneta, Asuka Hatano and Satoshi Izumi
J. Appl. Phys. 120, 165109 (2016)
(URL) (GitHub)

4. Analytical method for estimating the thermal expansion coefficient of metals at high temperature
So Takamoto, Satoshi Izumi, Tatsuya Nakata, Shinsuke Sakai, Shun Oinuma, Yujiro Nakatani
Modelling Simul. Mater. Sci. Eng., 23, 015010 (2015) (URL)

【受賞】

・「マルチスケール材料力学シンポジウム 優秀講演賞」, 2018年5月
・「東京大学大学院工学系研究科 研究科長賞」, 2017年3月
・「マルチスケール材料力学シンポジウム 優秀学生講演賞」, 2016年5月
・「第20回分子動力学シンポジウム MD奨励賞」, 2015年5月
・「日本機械学会三浦賞」,2014年3月
・「第18回分子動力学シンポジウム 若手奨励賞」,2013年5月
・「東京大学 工学部長賞」,2012年3月



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